江西兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法、LED专利，提升发光二极管

金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、LED”的专利，公开号CN118888656A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、三维成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述三维成核层包括依次沉积在所述缓冲层上的第一AlGaN层、Si掺杂三维GaN层、第二AlGaN层和三维GaN合并层。本发明提供的发光二极管外延片调控GaN外延层的晶体质量，调控V‑pits密度，降低量子阱非辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。

本文源自金融界