长鑫存储申请半导体结构及其制备方法、晶体管结构专利，改善第一字线结构底

金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、晶体管结构”的专利，公开号CN118785691A，申请日期为2023年3月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、晶体管结构，半导体结构包括衬底及字线结构；其中，衬底具有间隔分布且沿第一方向和第二方向阵列排布的多个有源柱组，有源柱组包括在第一方向上相对且通过分隔槽隔开的两个半导体柱；字线结构包括与任一有源柱组对应设置的一个第一字线结构和两个第二字线结构，第一字线结构位于分隔槽内。其中，第二字线结构和第一字线结构均沿第二方向延伸，第一字线结构位于第二字线结构沿第三方向远离分隔槽的底部的位置。上述半导体结构能够改善第一字线结构底部尖端易产生栅诱导漏极泄漏电流的问题提高晶体管的可靠性并且降低填充难度以及减小电阻，以提高晶体管的整体性能。

本文源自金融界