长江存储申请制作三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器专利，克服字线

金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“制作三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器”的专利，公开号CN118785714A，申请日期为2018年6月。

专利摘要显示，本发明涉及一种形成三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构具有衬底、覆盖衬底的堆叠层和覆盖堆叠层的硬掩模层，堆叠层包括交替堆叠的多个第一材料层和多个第二材料层；图案化所述硬掩模层以形成多个开口，多个开口暴露所述堆叠层；通过多个开口在堆叠层中形成多个接触孔，多个接触孔的每个接触孔分别到达各自预定深度的第一材料层；在多个接触孔的每个接触孔侧壁形成绝缘层；在多个接触孔的所述绝缘层内填充保护层；将堆叠层中的所述第一材料层替换为导电层；以及在多个接触孔的每个接触孔中形成接触部。本发明可以克服字线连接区的刻蚀缺陷和接触部对准等问题。

本文源自金融界