江西兆驰半导体申请 Micro-LED 外延片及其制备方法等专利，提升 Micro-LED 在低电

金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”的专利，公开号CN118888661A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴输运层和P型半导体层；所述空穴输运层包括依次层叠于所述多量子阱层上的AlαGa1‑αN层、BβGa1‑βN层和AlN层；所述P型半导体层包括依次层叠于所述空穴输运层上的P型InxGa1‑xN层、P型AlyGa1‑yN层、P型GaN层和Ta2O5层。实施本发明，可提升Micro‑LED在低电流密度下的光效，提升其显示效果。

本文源自金融界